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台大研發零缺陷半導體材料 LED發光效能增百倍

台大研發零缺陷半導體材料 LED發光效能增百倍

圖文引用自:蘋果日報

傳統上,當半導體材料越薄,其缺陷對於電子、光電元件的效能就有越嚴重的影響,但是台灣大學跨國團隊研發出獨步全球零缺陷半導體材料,透過「修復缺陷」的簡單方法,讓單層二維半導體材料浸潤在有機超強酸中,達到「零缺陷」的等級,可提升LED(發光二極體)發光效能100倍,結果發表在上月「科學」《Science》期刊。

科學家們近年來一直在發展新型的二維半導體材料,二維半導體材料具有特殊的電子傳導、光學、機械特性,可整合在現今半導體元件製程,被視為具有很大的潛力可以取代傳統矽材元件,其中二硫化鉬(MoS2) 為最熱門的半導體二維材料之一,然而以目前的合成製備技術,二維材料的缺陷密度還是太高。

台大指出,跨國研究團隊發現,將二硫化鉬(MoS2)材料浸潤在一種稱為亞胺(bistriflimide)的有機超強酸中,可大幅提高二維材料的量子效率,使其從不到1%增加到接近100%,為MoS2等二維材料在光電裝置與高性能電晶體的實際應用開啟了大門。此技術可望應用於開發透明的LED顯示器、超高效太陽能電池、高靈敏度的光偵測器、與低功耗的奈米級電晶體。

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